High Bandwidth Memory (HBM)
고대역폭 메모리
메모리 반도체의 일종.
2013년 대한민국의 반도체 제조 기업 SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 반도체 제품이다. # 고성능 DRAM을 여러 층으로 쌓아서 구성하는 방식으로 개발했으며#,[1] 2010년 AMD와 SK하이닉스의 제안에 의해 2013년 10월 JEDEC 산업 표준 JESD235로 채택되었다. #
2. 구조[편집]
엔비디아 H100과 나란히 탑재된 HBM2e 모습.[2]
GDDR과 HBM의 구조 비교
기존의 GDDR 계열 SGRAM을 대체하고 보다 고대역폭의 메모리 성능을 달성하기 위해 제안되었으며, 2013년에 반도체 표준협회인 JEDEC에 의해 채택되었다. 메모리 다이를 적층하여 실리콘을 관통하는 통로(TSV)를 통해 주 프로세서와 통신을 한다는 것으로, 이를 위해서 직접 인쇄 회로 기판 위에 올려지는 GDDR 계열 SGRAM과는 달리 인터포저라는 중간 단계를 필요로 한다.
GDDR의 경우 32개의 핀을 구리배선으로 연결하면 되므로 따로 미세공정이 필요 없었다. 그러나 HBM은 1024개나 되는 미세한 핀을 연결해야 하기 때문에 그대로 기판에 붙일 수 없다. 설령 그대로 붙인다고 하더라도 1024개나 되는 배선을 기판에 구현하여 GPU에 연결하는 것도 만만치 않은 일이라[3], 중간에 인터포저를 추가하여 여기에 GPU와 HBM을 가깝게 배치해서 연결하자는 아이디어가 나왔다.
SK하이닉스, AMD, 엔비디아 등이 상업화를 위한 협력에 착수하여 2013년에 SK하이닉스에서 HBM을 개발 완료했고, 2014년에 AMD와 SK하이닉스가 협력하여 TSV(Through Silicon Via) HBM 제품 개발에 성공하면서, 이후 본격적으로 HBM을 활용한 제품이 나오게 되었다. ###